简介
卓越的 PCIe Gen5 性能，革新 AI 与游戏体验
随着 AI PC、游戏系统和高性能工作站不断发展，数据密集型计算应用也在快速演进。新一代 SSD 需要具备更高的数据传输速度、更强的随机 I/O 性能、更高的能效，以及可靠的数据访问能力，以满足不断涌现的 AI 工作负载需求。PCIe Gen5 的带宽是 PCIe Gen4 的两倍，因此，设备端 AI 推理、实时渲染和边缘计算等应用对更高的数据吞吐量、更低的延迟和持续稳定的性能提出了更高要求。
慧荣科技先进的 PCIe Gen5 SSD 主控芯片兼顾出色的顺序读写和随机读写性能与低功耗。该系列主控芯片针对高密度 3D TLC 和 QLC NAND 进行了优化，并结合先进制程工艺、智能 NAND 管理和完善的数据保护机制，助力打造紧凑、低功耗的 SSD，满足 AI PC、游戏系统及高性能计算设备的需求。
产品
SM2524XT
专为 AI PC 和边缘 AI 应用打造的 PCIe Gen5 无 DRAM SSD 主控芯片
SM2524XT 是慧荣科技推出的一款先进 PCIe Gen5 x4 NVMe 2.1 无 DRAM SSD 主控芯片，专为 AI PC 和边缘 AI 应用设计。针对 AI 推理与高强度 KV Cache 工作负载进行优化，顺序读取和顺序写入速度均可达 14 GB/s，随机性能高达 250 万 IOPS。
SM2524XT 采用台积电先进的 6 纳米制程工艺，搭载四核 Arm Cortex-R8 处理器及四通道 NAND 架构，支持高达 4,800 MT/s 的 NAND 接口传输速率。整盘 SSD 功耗低于 5W，较上一代产品每瓦性能提升最高可达 25%，即使在空间与散热受限的设备中，依然能够兼顾出色的性能与能效表现。
SM2524XT 集成慧荣科技的 SCA（Separate Command Address）技术、先进的 FTL 调度机制，以及采用 4 KB LDPC 纠错技术的第八代 NANDXtend® ECC 技术，可提升 NAND 访问效率、降低延迟，并在高强度 AI 推理与数据密集型工作负载下实现可靠、持续的性能表现。
SM2504XT
高能效 PCIe Gen5 DRAM-less SSD 主控芯片
SM2504XT 是慧荣科技推出的新一代 PCIe Gen5 Client SSD 主控芯片，采用台积电 6nm 制程工艺设计。与上一代 PCIe Gen5 主控芯片相比，功耗降低约 30%；整体 SSD 功耗低于 5 瓦，相比现有同类产品提升约 24% 的能源效率，适用于 AI 笔记本、游戏系统以及其他高性能装置。
SM2504XT 采用 4 通道架构，支持高达 3,600 MT/s 的数据传输速率，并配备 PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0 接口。其性能可实现高达 11.5 GB/s 的顺序读取、11.0 GB/s 的顺序写入，以及约2M IOPS 的随机读写表现。
针对DRAM-less 的 SSD 应用，SM2504XT 支持 Host Memory Buffer (HMB) 与 Separate Command Address (SCA) 技术，以提升传输效率和系统效能。结合慧荣科技的 NANDXtend® ECC 技术与先进的 4K+ LDPC 引擎，SM2504XT 能够保障数据完整性、延长耐用度，并为新一代客户端SSD 提供稳定而持续的性能表现。
SM2508
高性能、低功耗 PCIe Gen5 SSD 主控芯片
SM2508 是一款 PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0 SSD 主控芯片，专为新一代 AI 笔记本与高端消费级设备设计。采用台积电 6nm 工艺打造，能够在高带宽、低延迟与节能需求下，兼顾性能与效率。
SM2508 配备 8 通道 NAND 接口，支持高达 3,600 MT/s 的传输速率，并搭载四核 Arm® Cortex®-R8 处理器。性能表现可达 14.5 GB/s 的顺序读取、13.6 GB/s 的顺序写入，以及约 2.5M IOPS 的随机读写，非常适合 AI 笔记本、游戏平台与创作者系统等高性能应用。 与上一代产品相比，SM2508 的功耗降低约 30%，能源利用率较同类方案提升约 70%。其低功耗的 PS4 模式耗能低于 2 mW，使其成为 Gen5 SSD 主控芯片中具备出色节能表现的方案之一。
此外，SM2508 集成慧荣科技的 NANDXtend® ECC 技术，搭配先进的 LDPC 引擎、端到端数据路径保护与可编程 RAID 支持，确保数据完整性、延长耐用度，并提供稳定可靠的长期性能。
PC OEM SSD 产品验证流程
为了满足 PC OEM 厂商严苛的质量标准，Silicon Motion 慧荣科技建立了完善的四阶段开发、测试与验证流程，贯穿整个产品生命周期，确保 SSD 主控方案具备高可靠性、稳定性与一致性。
特点
拥有4-CH/8-CH传输的高性能闪存主控
支持 PCIe Gen5 x4 with NVMe 2.1/2.0, PCIe Gen4 x4, Gen3 x4, NVMe 1.4 与 SATA 6Gb/s 规格
低功耗设计
端到端数据路径保护
NANDXtend® ECC（纠错编码）引擎技术
DRAM ECC 及 SRAM ECC
支持安全协议，包含AES 256、TCG 及Opal Full-Drive 加密机制
全区均匀抹除(Global Wear Leveling)技术，能有效延长固态硬盘使用寿命
弹性的闪存组态设定
强化的ESD设计
内部电压侦测电路系统
满足商规及工规产品需求
技术
第八代 NANDXtend® ECC 技术，支持最新 3D TLC 及 QLC NAND
为新一代及下一代 3D TLC 与 QLC NAND 提供更高可靠性、高性能与低功耗的 ECC 技术，NANDXtend® 搭载创新的 4K+ LDPC 引擎，全面满足应用需求。
NANDXtend® 是慧荣科技专为配备 3D TLC 与 QLC NAND 的 SSD 产品所研发的先进固件技术。该技术采用三层错误纠正机制，融合 LDPC（低密度奇偶校验码）与 RAID 数据恢复技术，可实现并行解码与高速精准的错误修正，有效延长 NAND 的 P/E 擦写寿命，提升 SSD 的整体耐用性和数据完整性。
新一代 NANDXtend® 配备性能优化的 4K+ LDPC 引擎与升级固件算法，在功耗控制、解码效率与纠错能力方面表现更为出色。即便在 NAND 闪存使用周期中出现大量错误位元，也能持续保障数据一致性，为用户带来更优质、稳定的使用体验。
端到端数据路径保护
慧荣科技的 SSD 主控解决方案集成完整的数据错误检测与修复引擎，能够在“主机 → NAND → 主机”的整个数据传输路径中，提供全面的数据完整性保障。其数据修复算法可高效检测 SSD 数据路径中可能出现的各类错误，包括硬件层（如 ASIC）错误、固件错误，以及来自 SRAM、DRAM 或 NAND 的内存错误。
台积电 6nm FinFET 工艺技术
我们的主控采用先进的 6nm 工艺架构，相较于 12nm 工艺，可实现高达 30% 的功耗降低。该技术不仅实现了更高的数据吞吐率与更低的功耗表现，同时结合卓越的数据保护机制，打造出兼具高性能、高可靠性与成本效益的 PCIe NVMe SSD 存储解决方案。
灵活的接口设计
传统方案通常采用纯硬件电路设计，虽然实现简单，但缺乏灵活性。
- 慧荣科技的PCIe Gen5 SSD 主控内置专用于控制任务的 ARM M0 处理器。
- 在新标准发布时，仅需通过固件代码更新即可实现支持，具备极高的可扩展性与兼容性。
先进架构搭载 SCA (Separate Command Address) 技术
最新的 PCIe Gen5 SSD 主控芯片引入 SCA 架构，将指令与地址的传输路径分离。该设计能够有效降低延迟，提升 NAND 访问效率，并支持在接口上实现更快速且并行的数据传输。
PI-LTT 智能功耗优化技术
通过优化 NAND I/O 电压降低功耗，提升高性能 SSD 应用的能效。
下载
博客
选购指南
| Filters |
{{ head.title }}
|
||||
|---|---|---|---|---|---|
| Filters | |||||
|
|
|
||||
{{ item.title }}
|
{{ findOption(head.id, item.options, '--') }} |
